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MCR场效应整流器简介
2022-08-16
MCR--MOS控制整流器
MOS Control Rectifier
区别肖特基势垒二极管，MCR整流器中场效应管结构的引入,降低了泄漏电流并提高了击穿电压。在反向电压下薄栅氧化层加速了半导体表面导电沟道的夹断，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间之间的优化.超低反向漏电，常温下在nA数量级；低导通压降；高击穿电压以及高工作结温（175°C）；涵盖150V-300V，可定制（根据不同VF和IR电流）； 高浪涌； 快速的反向恢复时间；高可靠性，通过150℃可靠性考核，0失效.可以在更高温度下工作！
不是新技术但绝对是我们的新奉献！
MCR型号去代替DIODES公司SBR系列超级势垒整流器！也可以去代替ST及VISHAY的同规格的产品！
目前175℃工作结温推出4个产品，30T150CT 30T200CT 20T300CT 40T300CT,选用TO220/TO263及TO220F(ITO220)三种封装外形，以适应不同的使用要求！考虑肖特基反向耐压低的固有的缺陷，MCR系列主要推300V以上耐压产品，后续会开发出600V以上产品。XXTXXXCT其中前两个XX表示正向电流值，后面三个X表示反向电压值！
